Стратегия стартапа - Страница 1

© Владимир Токарев, 2016

Создано в интеллектуальной издательской системе Ridero

Книга о том, как изменить ситуацию, когда из 10 стартапов успешным становится только 1—2.

Практикум по разработке стратегии стартапа, состоит из 10 этапов. которые будут опубликованы в 10 книгах (по 1 в каждой), в первой книге представлен 1 этап.

Практикум является приложением к книге «Стратегические секреты консультанта», выходящей в 3 частях.

Будет полезен руководителям и владельцам бизнеса.

Предназначен для самостоятельной разработки стратегии стартапа с использованием рекомендуемых шагов и форм (если они требуются) для заполнения. Основан на 20-летнем опыте консультирования компаний из самых разных отраслей по теме стратегического менеджмента и идее автора о том, что успешность стартапа можно значительно повысить, если разработать стратегию стартапа «для себя», а не просто бизнес-план для грантодателей, инвесторов или бизнес-ангелов.

У читателя может возникнуть естественный вопрос по цене – почему эта тоненькая книга достаточно дорогая?

Вопрос нужно поставить иначе, поскольку это не совсем книга – это методические рекомендации консультанта, – почему профессиональные услуги по вопросам разработки стратегии, представленные в книжном формате, такие недорогие – за счет чего это достигается?

А достигается это за счет того, что консультационные услуги по вопросам разработки стратегии оказываются, благодаря такой форме, как издание серии практикумов, одновременно большому числу компаний, а цена на них, среднем, – не изменилась – ни в меньшую, ни в большую сторону.

Сразу хочу предупредить читателей/покупателей практикума по стратегии: если вы купили один практикум, например, Выпуск №1 или №2 (и далее номера с 3 по 10), например, с названием «Стратегия стартапа», не торопитесь покупать практикум с теми же номерами выпуска, но с другим названием, например «Стратегия фирмы».

Дело в том, что практические задания и др. самые важные материалы в практикумах по разным темам будут очень похожи друг на друга, поскольку предлагается использовать одну и ту же проверенную технологию разработки стратегии, но применительно к разным объектам управления.

Потому, надеюсь, что имея технологию для одного объекта, читатель может вывести для другого объекта стратегию самостоятельно. Отличия практикумов с разными названиями будет в основном одно – это разные сквозные примеры:

Итак, вот главное отличие практикумов с разными названиями:

Стратегия фирмы – содержит сквозной пример по разработке стратегии компании,

Стратегия стартапа – содержит сквозной пример по разработке стратегии одного стартапа,

Стратегия на войне за таланты (стратегическое управление персоналом) – будет содержать сквозной пример по разработке стратегии компании в отношении персонала,

Стратегия карьеры – будет содержать сквозной пример по разработке стратегии одной карьеры личности,

Стратегия на войне за лучшего поставщика – будет содержать сквозной пример по разработке стратегии в отношении поставщиков.

И потому, приобретая одни и те же выпуски в отношении разных объектов, вы сами принимаете решение и ответственность за такую покупку.

Другое дело, что если будут полезные находки в ходе разработки таких сквозных примеров, об этом будет обязательно написано в аннотации к соответствующему практикуму и, скорее всего, будет представлено в беседах любознательного генерального директора и автора (в практикумах используется такая форма представления нового и важного).

Выпуск большого количества похожих практикумов объясняется просто – тому, кому нужно разработать стратегию своей карьеры – лучше приобрести практикум по разработке стратегии карьеры, а если стоит задача – разработать стратегию своего стартапа – лучше, конечно, приобрести соответствующую серию одноименных с вашей задачей практикумов и т. п.

Менеджмент 0.5 – Что у нас сегодня

Эта история произошла в далеком 1982 году. Одна из лабораторий НИИ, в котором я тогда работал, изготавливала полупроводниковые пленки арсенида галлия, выращенные эпитаксией, которые поставлялись на опытный завод при НИИ, где из них изготавливались полупроводниковые приборы (диоды). Статистика была такова – из десяти полупроводниковых пластин, которые полностью соответствовали ТУ по результатам испытаний, только на двух получались годные диоды с нужными характеристиками. Но выяснялось это уже на заключительной стадии производства, в результате на заводе были большие непроизводительные затраты. Причина брака была непонятна. Будучи в то время старшим инженером, я руководил небольшой группой по измерению параметров этих полупроводниковых пленок. Начальник лаборатории эпитаксии уговорил меня стать руководителем ОКР – опытно-конструкторской работы по увеличению выхода годных в два раза – до четырех пластин из 10. Я понимал ответственность, но согласился.

В ходе работы выяснилось, что главная проблема в качестве оборудования для эпитаксиального наращивания пленок. Это оборудование производилось единично специальным подразделением нестандартного оборудования нашего НИИ, в результате было крайне сложно выдержать нужный сложный по форме профиль легирования (обеспечивающий нужный профиль распределения электронов) этих полупроводниковых пленок, толщиной всего 0,2—0,25 мкм. (Сегодня такую работу можно было бы смело назвать – нанотехнологией, но тогда это слово не было в обиходе). Если объяснить, что называется «на пальцах», то это звучит так: нужные высоколегированные полупроводниковые слои (содержащие большое количество электронов) получались или слишком тонкие или слишком толстые, и в том, и другом случае диоды получались бракованные (с негодными параметрами). Группе, которую я возглавил, нужно было решить задачу увеличения выхода годных как минимум в два раза на имеющемся не очень качественном оборудовании.

Один из специалистов НИИ, руководитель химической лаборатории особо чистых веществ, которые и использовались для производства полупроводниковых пленок, мне рекомендовал для выполнения ОКР активнее использовать статистические методы анализа брака. Но мы пошли другим путем.

Дело в том, что изготовить полупроводниковые слои на имеющемся оборудовании «точно какие нужно» было действительно очень сложной задачей, на уровне искусства инженеров и операторов, занимающихся выращиванием этих слоев. А вот вырастить полупроводниковые пленки с высоколегированным слоем (большим количеством электронов) чуть толще, чем надо, даже на имеющемся оборудовании не представляло особых проблем. Понятно, что в таком случае все эти полупроводниковые пластины переходили автоматически в разряд брака.

Однако в то время нами уже была отработана технология анодного окисления наших полупроводниковых пленок, которая позволяла с очень высокой точностью удалять лишние слои. Причем настолько точная, что теоретически можно было утоньшать полупроводниковую пленку даже на уровне одного монослоя (это как раз и есть нанотехнология, только не выращивания, а удаления).

В результате, в конце годовой ОКР, когда технология была отработана, из десяти пластин годными оказывались не четыре, как планировалось по требованиям работы, а все 10. К слову, руководитель лаборатории меня уговорил сдать работу по требованиям технического задания – чтобы иметь возможность нивелировать любые проблемы некачественного оборудования для выращивания эпитаксиальных слоев. Мы так и сделали, но пока я работал, не помню, чтобы такой запас потребовался – после необходимой обработки пластины становились годными все.